自持金刚石厚膜上磁控溅射法沉积ZnO薄膜的研究

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ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,具有较大的激子束缚能(60meV),可以实现室温紫外激光发射。作为新一代的宽带半导体材料,以其优异的电学、光学、压电等性能,在发光二极管、光探测器、声表面波(SAW)器件等诸多领域有着广泛的应用。工作频率超过1GHz的SAW器件在今后高频无线电通讯中具有极其广泛的需求。但是工作频率超过2.5GHz的声表面波滤波器,对叉指换能器电极宽度的要求将达到传统光刻技术的极限。ZnO/金刚石结构的声表面滤波器可以充分利用ZnO的压电性和金刚石最
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