超导NbN材料，相对于其它一些低温超导材料而言，具有较高的工作温度和工作频率，已成为目前超导器件的主要制备材料之一。基于NbN/AlN/NbN三层结构的超导SIS结器件，由于材料的能隙频率在1.4THz，可寄希望在1THz频段的外差接收技术中具有良好的噪声特性。基于NbN超薄薄膜的超导热电子HEB(Hot Electron Bolometer)混频技术，是利用超导超薄薄膜的强非线性电阻--温度(R-T)效应来实现高灵敏度和宽瞬时带宽的外差混频技术。而且，这种NbNHEB混频技术不受NbN的能隙频率的限制，是目前1THz以上频段的最佳候选检测技术。上述这些超导混频技术都具有所需本振信号功率低、噪声性能好的特点，提供了一个很好的THz信号检测的工作平台。　　 本文针对SIS结和HEB器件的制备工艺进行了一系列的研究。　　 一、超导NbN/AlN/NbN SIS结的工艺研究　　 在超导NbN SIS结的制备过程中，比较研究了器件制备的正向工艺流程和反向工艺流程，文章主要研究了器件制备的正向工艺。超导SIS器件的正向工艺制备流程如下：　　 1、直流磁控溅射制备NbN/AlN/NbN三层结构；　　 2、光刻出底电极图形；　　 3、RIE刻蚀出底电极；　　 4、在底电极上光刻出四个结区图形；　　 5、RIE刻蚀出结区；　　 6、利用射频磁控溅射生长AlN绝缘层；　　 7、光刻出上电极，lift-off生长上电极，完成SIS结的制备。　　 二、HEB的设计与工艺研究　　 1.超导NbN HEB器件主要由电极，微桥和天线组成。我们所设计的电极为6um×6um的正方形，微桥的尺寸长度为0.4um～0.8um，宽度为2um～4um，天线为平面等角螺旋天线。根据不同的实验要求，我们设计了0.08～1.6THz、0.5～4THz、0.8～5THz等三个不同频段的超导NbN HEB器件。通过多次的制备工艺研究，制备出这些器件。　　 2.HEB器件的制备对工艺的要求非常高，在前人的研究基础上，我们对超导HEB器件的制备工艺进行了一些改进，改进后的工艺制备流程如下：　　 1)直流磁控溅射制备一层约3nm厚的超薄NbN薄膜；　　 2)利用电子束曝光技术刻出电极图形；　　 3)利用磁控溅射和lift-off技术生长5nm NbN和50nm Au双层电极；　　 4)光刻出微桥图形，RIE刻蚀出微桥；　　 5)光刻天线图形，lift-off技术生长约250nm Au天线，完成器件的制备。　　 3.通过对HEB器件的制备工艺实践和制备研究中的经验体会，改进了超导NbNHEB器件的掩模板设计，提高了器件制备的速度和器件的成品率。　　 通过对超导HEB器件的设计和制备工艺的改进，我们成功的刻蚀出了0.4um×2um的微桥图形，制备出一批性能优良的超导NbN HEB器件，并在THz接收实验中证实了器件的优异特性。