Sm掺杂PMN-PT弛豫铁电陶瓷场诱应变温度稳定性的研究

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Sm掺杂PMN-PT陶瓷具有可媲美单晶的场诱应变特性,在微位移致动器上具有极大的应用潜力。随着科技的发展,致动器对铁电材料的应变和温度稳定性都有了更高的要求。本论文研究了Sm掺杂PMN-x PT陶瓷的应变及其温度稳定性,主要内容包括:首先,测试了Pb0.9625Sm0.025[(Mg1/3Nb2/3)1-xTix]O3陶瓷在-55℃~65℃范围内的单极性横向场诱应变温谱,测试电场为0.8 k V/mm。发现x?0.34时,在-10℃~65℃范围内应变变化率?S均小于?7%,2.5Sm-PMN-34PT具有最优异的应变温度稳定性,?S仅为±2.64%。为了探究高应变温度稳定性的机理,研究了2.5Sm-PMN-x PT陶瓷的相结构、介电响应温谱、谐振特性温谱。结果表明:x<0.28时,相结构为伪立方;x>0.33时,相结构为四方;MPB位于0.28?x?0.33处。应变的温度稳定性与相结构和铁电畴的温度稳定性紧密相关,晶相结构处于伪立方和MPB区域时,应变在Td和铁电相变温度附近存在突变点,导致应变温度稳定性均不佳;而在四方相中,Td以下介电响应频率色散较弱,铁电畴结构稳定,且不存在铁电相变,能在一定温区获得优异的应变温度稳定性。其次,研究了3.0Sm-PMN-x PT陶瓷室温下的应变与相结构及介电、压电特性的关系。场诱应变的非线性响应与畴转(纳米畴极化旋转和畴壁移)有关。四方相中(x≥0.32),畴转中畴壁移占比较高,单极性场电滞回线和应变曲线线性度更好,畴转饱和需要更高的电场,四方相在更高电场下具有更大的应变;而x=0.28、0.30时,畴转中纳米畴极化旋转占比较高,畴转在更低电场下即可达到饱和,致使场诱应变呈现更显著的非线性响应。最后,研究了3.0Sm-PMN-x PT弛豫铁电陶瓷的应变温度稳定性,发现x=0.28、0.30时,在-10℃~65℃范围内?S均大于±25%;而x≥0.32时,四方相区的?S均小于±5%,其中x=0.34的?S仅为±2.22%。结合介电响应和谐振特性温度稳定性分析了其高应变温度稳定性的机理。认为x≥0.32组分极化后形成的伪宏畴在-10℃~65℃范围内具有良好的热稳定性,畴结构相对稳定是获得优异应变温度稳定性的重要前提。
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