【摘 要】
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该文采用Sol-Gel浸渍提拉法,成功地制备了透明的、不同离子、不同浓度掺杂的纳米CeO基薄膜,并对他们进行了微观结构及形貌分析. 其次,该文对采用Sol-Gel浸渍提拉法制备的CeO
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该文采用Sol-Gel浸渍提拉法,成功地制备了透明的、不同离子、不同浓度掺杂的纳米CeO<,2>基薄膜,并对他们进行了微观结构及形貌分析. 其次,该文对采用Sol-Gel浸渍提拉法制备的CeO<,2>基电解质薄膜在不同的测试温度下进行了复阻抗测量与分析.分析了不同层数、不同掺杂浓度、不同掺杂离子及不同的测试温度对在700℃热处理的薄膜样品的阻抗谱的影响.并对在800℃热处理的GeO<,2>基薄膜样品的阻抗谱特性进行了深入研究. 最后,我们还对上述CeO<,2>薄膜进行了I-V特性研究,发现该薄膜存在VCNR现象.该VCNR现象有两个明显的特点:一是CeO<,2>薄膜的负阻特性是不对称的,二是在负向I-V曲线中,电流首先以较快的速度增大,当达到一极大值后又急剧降低,降到一极小值后,又继续增大.我们提出了上述现象的导电机理,并着重分析了测试温度、掺杂离子、掺杂浓度及热处理温度对CeO<,2>薄膜的VCNR特性的影响.
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