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近年来，随着激光和光存储技术的飞速发展，稀土掺杂硫化物光存储材料愈来愈引起人们的重视。其具有以下两个重要特性：1)光存储：能将光信号以陷阱电子形势长期稳定存储；2)红外上转换：室温下可将红外光转换为可见光。故人们又根据其特性称之为电子俘获型红外上转换及光存储材料（ETM—Electron Trapping Infrared Up-conversion and Optical Storage Materials）。作为一类新型的光存储材料，它在超高密、超高速光盘存储、影像存储、信息处理、光计算、红外探测、红外上转换成像、辐射剂量测定等方面具有重大的应用价值。 本文采用湿法制备前驱物、然后在还原气氛下利用稀土直接掺杂法制备了具有良好光存储性能的CaS：Eu，Sm、SrS：Eu，Sm及CaSrS：Eu，Sm光存储材料。系统地研究了一系列的工艺条件及参数，讨论了前驱物制备方法、材料合成方法、灼烧气氛、灼烧温度、灼烧时间、助熔剂种类及含量、稀土掺杂浓度及种类、基质成分对样品微观结构及光存储性能的影响，同时对样品的光存储机理作了一定程度的探讨。 对样品进行了X射线衍射分析（XRD）、激发光谱、发射光谱、光激励发光光谱、光激励发光衰减和热释光谱测定。结果表明样品（CaS：Eu，Sm、SrS：Eu，Sm及CaSrS：Eu，Sm）均为面心立方结构；激发光谱均在紫外区有一个激发峰，说明紫外光可作为信息写入光源，Cas：Eu，Sm在可见区还有一个峰值位于420mm的微弱激发峰，说明可见光也可作为它的写入光源；发光光谱均包括Sm3+的三组窄带发射；在580mW的980nm半导体激光器激发下样品的光激励发光光谱是峰值分别位于635nm、599nm和615nm的宽带谱，说明980nm的红外激光可以作为读出光，而读出信号的波长为615nm；光激励发光衰减均是由初始的快衰减和随后的慢衰减过程构成，这说明随着激励光照时间的增长，光激励发光强度减弱，读出信号强度也随之变弱；CaS：Eu，Sm的热释光谱峰值为420℃，而SrS：Eu，Sm及CaSrS：Eu，Sm在仪器量程范围内（20～500℃）均无热释光放热峰，说明样品具有深能级陷阱，电子不易跃出陷阱， 达到稳定存储的效果。改变稀土掺杂种类制备了 CaS：Ce石 和 CaS： Yb三ffi样品，改变基质种类制备了k。Sfl．石：EU，Sffi（X—0．0二5、0．5，0．75。 l）、C印)45SF04＊M0jS：EIJ，S＊（M＝Mg，BS）、MO：Elf，S＊（M＝CS，Z＊）样品，发 现这些改变均对样品的光存储性能有显著影响。 稀土掺杂硫化物体系的制备及其光学性能的系统研究，不但为电子 俘获型光存储材料拓展了新的合成技术，也为进一步提高材料的性能及 其在不同领域的应用提供了依据。