【摘 要】
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该文使用N/CH气源系统,以微波等离子体辅助化学气相沉积法(MW-PCVD), 在多孔二氧化硅基底上和硅基底上分别生长了定向的N掺杂碳纳米管列阵.采用多种分析手 段测定了纳米管的
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该文使用N<,2>/CH<,4>气源系统,以微波等离子体辅助化学气相沉积法(MW-PCVD), 在多孔二氧化硅基底上和硅基底上分别生长了定向的N掺杂碳纳米管列阵.采用多种分析手 段测定了纳米管的结构、成分和成键状态;并测量了纳米管列阵的场发射性质.通过对纳米管的生长规律和生长模式的系统研究,在实验上制备了一定数量的单个纳米钟和新型的纳米管结,并对它们的形成机制进行了详细的讨论.
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