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ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体材料。激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV高很多,激子不易发生热离化,因而易于实现高效率的激光发射,是制备短波长发光器件的理想材料。对于一种发光材料,研究如何改善其发光性能对提高器件的发光效率具有非常重要的意义。而掺杂是影响半导体ZnO薄膜发光特性的主要手段之一。目前,单一元素掺杂的ZnO薄膜已被广泛研究了,而对其进行复掺杂的研究还比较少。在本论文中,为了研究ZnO薄膜的发光机制和复掺杂对ZnO薄膜的结构与光学性质的影响,我们对ZnO薄膜进