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四硫富瓦烯(TTF)及其衍生物作为优良的电子给体,在有机导体的研究中备受关注。近年来,TTF及其衍生物在非线性光学材料、分子电子器件、Langmuir-Blodgett膜、大环化学以及超分子化学等领域中得到了越来越广泛的研究。在众多TTF衍生物中,含有硅取代基的TTF衍生物是报道较少的一类,然而由于烷基硅能够参与π-电子共轭,增加体系电子离域性,将硅引入TTF是十分有意义的。本文首先以CS2和金属Na等为原料合成了二(1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮-4,5-二硫基)合锌酸四乙基铵(TEA2[Zn(DMIT)2]),用TEA2[Zn(DMT)2]与含有氯甲基的硅烷试剂进行取代反应,得到4和5位取代的1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮(1a-1e),然后在醋酸汞、醋酸和二氯甲烷形成的溶液中将硫酮转化为酮(2a-2e),再用亚磷酸三乙酯作为偶合剂进行偶合,得到含有硅烷取代基的TTF衍生物(3a-3e),通过IR、1H NMR、13C NMR、MS对它们的结构进行了表征。在以上的产物中,我们还顺利的得到了化合物1a、1d、2a、2d和3a的单晶,并对1a、2a和2d的单晶结构进行了表征。另外,以L-酒石酸二乙酯为起始原料,经过保护、还原、羟基的活化、成环等反应得到中间体手性化合物9,将手性化合物9和化合物2a在亚磷酸三乙酯的作用下进行偶合反应,合成了含硅烷及手性取代基的TTF衍生物10,通过IR、1H NMR、13C NMR对其结构进行了表征。最后,我们以铂电极为对电极,玻碳电极为工作电极,饱和甘汞电极为参比电极的三极工作池中,通过循环伏安法对所得目标化合物的电化学性质进行了测定。结果表明,化合物3d的Eox1=0.5891 V、Eox2=0.9169 V、Ered1=0.5463 V、Ered2=0.8628 V、△E1=42.8 mV、△E2=54.1 mV,△E1和△E2均小于60 mV,所以化合物3d发生的氧化还原反应是可逆的,而化合物10的Eox1=0.7088 V、Eox2=1.0281 V、Ered1=0.6168 V、Ered2=0.9198 V、△E1=92m V、△E2=108.3 mV,△E1和△E2均太于60mV，所以化合物10发生的氧化还原反应是不可逆的。