施主掺杂的钛酸钡（BaTiO3）基热敏陶瓷元件被广泛应用于计算机、家用电器、汽车等领域。利用钛酸钡所具有的的正温度系数（Positive Temperature Coefficient）效应所开发的钛酸钡基PTCR元件,具有恒温加热的功能,以其成本低、节能、升温速率快及稳定性好等优点,已在电动汽车空调及电池加热领域中得到广泛应用。工业上一般采用高居里点钛酸钡基热敏陶瓷作为加热元件,Pb常被用作居里温度移动剂以提高元件的居里温度。但是含铅钛酸钡基热敏陶瓷的制备一般需要较高的烧结温度,在1300℃以上,这会引起Pb的严重挥发,恶化热敏陶瓷性能的同时也会对环境造成污染。因此本文对低温烧结高居里点钛酸钡基热敏陶瓷开展了一系列研究工作。本文首先研究了直接采用纳米级的水热粉钛酸钡作为原材料来制备含铅钛酸钡基热敏陶瓷。XRD显示,采用60 nm和100 nm钛酸钡水热粉为原材料,以Pb为居里移动剂,Nb、Mn分别为施受主掺杂,在1250～1350℃烧结的样品是纯相,说明施受主能完全固溶至纳米级的钛酸钡中,此方法制备高居里点热敏陶瓷具有可行性。采用60 nm和100 nm初始粉体在1250℃所烧结样品的相对密度均可达到90%以上,并在1270℃实现半导化,烧结温度低于传统固相法的烧结温度。在所选取的温区范围内,综合烧结温度和电学性能,采用60 nm和100 nm初始粉体在1270℃所烧结的样品性能较优,其室温电阻率依次为886Ω·cm和843Ω·cm,升阻比依次为3.3和2.8个数量级。为了进一步降低烧结温度,在采用水热粉钛酸钡为原材料的基础上,引入助烧剂SiO2,研究样品的烧结性能和电学性能。研究表明:SiO2能促进晶粒的生长,掺杂0.5mol%SiO2在1250℃烧结的样品就达到了94%的相对密度,与未掺杂助烧剂的样品在1350℃密度相当。SiO2的掺入也能起到优化电学性能的作用,它能在降低室温电阻的同时提高升阻比。综合烧结温度和电学性能,掺杂1 mol%SiO2的样品在1250℃性能较好,室温电阻率为18.8Ω·cm,升阻比为3.5个数量级。此外,由于SiO2降低烧结温度的作用有限,继续研究了BN作为烧结助剂对样品的烧结性能和电学性能的影响。BN掺杂能促进晶粒生长,有利于陶瓷致密,但由于气体的挥发,形成的多孔结构,会降低陶瓷的最大致密度。高掺杂BN样品在1100℃就能达到最大致密度90%,而未掺杂BN样品在该温度下相对密度仅为65%,说明BN在低温下能有效促进烧结。但是高掺杂BN的最大致密度仅为90%,难以达到未掺杂样品的最大致密度95%。BN对电学性能也能起到优化作用,它能降低室温电阻的同时提高升阻比。综合烧结温度和电学性能,掺杂3 mol%BN样品在1150℃性能较好,室温电阻率为44Ω·cm,升阻比达到4.5个数量级。