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随着电子设备的小型化、高度集成化的不断发展,需要磁性器件向小型化和高频化方向发展,具有高饱和磁化强度MS、高电阻率ρ、高磁导率μ和低矫顽力Hc的软磁薄膜成为磁性材料发展的必然方向。由金属—绝缘介质组成的纳米颗粒膜同时集中了磁性金属的高Ms、高μ、高Tc和绝缘介质的高ρ的优点,从而成为软磁材料研究中的一个重要分支。本文中,利用射频磁控溅射斜溅射制备了（FeCoBNiNb）x-（SiO2）1-x系列纳米软磁颗粒膜。利用X-ray衍射和高分辨电镜HRTEM得到了样品的结构信息;用VSM和直流四端法等研究了样品的磁性和电性;利用短路微扰传输线法测量了样品的高频特性;主要结论如下:1.利用射频磁控共溅射方法成功制备了（FeCoBNiNb）x-（SiO2）1-x系列颗粒膜。对体积分数x=0.88的样品,HRTEM明场像显示样品由纳米级（2nm）的磁性金属颗粒均匀地镶嵌在SiO2绝缘介质中构成;电子衍射环证明磁性金属颗粒为非晶结构。2.系统地研究了磁各向异性场Hk随入射角度θ的变化关系。对体积分数x=0.88的样品,不同的入射角（0°-30°）均得到了很好的软磁性能。当入射角度从0°上升到30°时,各向异性场迅速上升,从105 Oe增大到580 Oe。通过实验分析了样品的各向异性的大小和起源。认为该薄膜磁各向异性场是由两部分组成:不可逆部分和可逆部分。不可逆部分可以用各向异性的交换耦合的模型来解释,而可逆部分,来源于原子对的方向有序。3.研究了磁各向异性场Hk随x的变化。结果表明随着x的减小,Hk的变化趋势是先增大后减小,而且在宽的范围内Hk较大。在x=0.88时,达到最大。4.研究了金属相体积分数一定x=0.75,但是其中B含量增加样品的性质变化。结果表明随着B含量的增加,其各向异性场单调减小,4πMs也单调减小,矫顽力基本不变。5.对于x=0.63的样品,Hk=92Oe,ρ=12.5mΩ·cm,无需后期处理就能得到如此高的电阻率和好的软磁性,制备工艺相对简单,预示该样品具有较好的高频应用前景。6.在很宽的体积分数范围内,不同的入射角都能制备出软磁性能较好的样品,其高频磁性也时我们关心的性质。对x=0.88,θ=30°的样品,共振频率达到7.8 GHz.通过理论模拟得知,在高频下支配磁化强度的行为的是自然共振。结合对典型样品的静态磁性、微结构以及高频特性研究,证明了FeCoBNiNb-SiO2金属—绝缘体颗粒膜有良好的应用前景。