随着2μm波段的半导体泵浦的固体激光器的迅速发展，其在激光雷达、遥感和医疗等诸多领域都有着广泛的应用。本文主要以连续运转的Cr²⁺:ZnS激光器和Cr²⁺:ZnS晶体在2μm激光器上被动调Q的应用做为主要研究目标，分别从理论和实验两方面进行研究分析。在理论方面，主要包括了两个方面的内容。首先，对于掺杂Cr²⁺离子的II–VI族半导体材料进行了光学性能以及发光机制的研究和分析，给出了适合于该类材料的泵浦源，为了Cr²⁺:ZnS晶体作为增益介质的连续光激光器的研究打下基础；其次，对于被动调Q运转下的Cr²⁺:ZnS可饱和吸收体进行了速率方程的分析，给出了其被动调Q速率方程的模型，得到了调Q脉冲的峰值功率，脉冲宽度，脉冲能量，能量利用率等的表达式，对于实际实验操作具有一定的指导作用。实验方面也主要有两方面的研究内容。第一，是关于连续运转Cr²⁺:ZnS激光器的实验。本文首先对其泵浦光源1.89μm连续运转的Tm:YLF激光器进行研究，分析比较了采用不同类型的选取波长的方式和应用不同透过率的输出镜对于输出功率的影响，最终得到了一个最优的设计方案，达到的最大输出功率超过30W，斜效率在40%以上；其次，用搭建的Tm:YLF激光器对Cr²⁺:ZnS晶体进行泵浦，采用平平腔结构，验证了不同腔长下的输出功率变化特点，并且得到了最大输出功率1.06W。第二，对于Cr²⁺:ZnS用作可饱和吸收体的实验，分别在Ho:YAG，Ho:YVO4，Ho:YLF激光器上进行了被动调Q的实验。文章首先分析了饱和吸收体在不同位置时，随着泵浦功率的增加，脉冲能量，脉冲宽度，重复频率的差异；并且在Ho:YAG激光器中在重复频率为10kHz左右时，得到了最大平均功率16.6W，最小脉宽在36ns左右，单脉冲能量最高在2.6mJ。在Ho:YVO4激光器中分析了不同腔长下脉冲特性的差异，得到了单脉冲能量在0.2mJ附近，最大重复频率在20kHz左右的脉冲信号，获得的最短脉宽是19.5ns，平均输出功率可达4.6W。在Ho:YLF激光器中得到的最大脉冲能量为1.74mJ，最短脉宽为13.4ns，重复频率最高在1.90kHz时，对应的平均功率为4.0W。在论文的最后，对于所做的实验工作进行了总结和分析，对于存在的问题和有待深入研究的问题提出了一些建议。