浮栅型有机晶体管存储器作为有机电子器件中一种非常重要的基本单元,被广泛应用于各种新兴领域中。但是其较差的数据保持时间和稳定性限制了其进一步的商业化应用。为了解决这些问题,迫切需要寻找合适的浮栅材料和合理的器件结构。本论文采用核壳结构的CdSe@ZnS量子点嵌入到绝缘聚合物中作为电荷捕获层,显著的增大了器件的记忆窗,同时提高了器件的数据保持能力和稳定性。此外,本论文提出了一种基于垂直结构的量子点浮栅型有机晶体管存储器。这种特殊的垂直结构量子点浮栅型有机晶体管存储器具有超高的电流密度和出众的存储性能,并且其存储性能与传统的平面型浮栅有机晶体管存储器相当甚至更好。此外,论文进一步研究了该垂直结构的量子点浮栅型有机晶体管存储器在柔性上的应用,研究了器件柔性弯曲条件下的存储性能。主要研究内容包括以下三个方面:1、采用核壳结构的CdSe@ZnS量子点嵌入到PVP绝缘聚合物中作为器件的浮栅层来提高器件捕获电荷的能力,辅以透射电子显微镜(TEM)对CdSe@ZnS量子点在PVP矩阵中的分布情况进行表征。经过大量的实验最终得到了保持特性出众、性能稳定的量子点浮栅型有机晶体管存储器,器件的记忆比大于103,记忆窗大于50 V,保持时间大于104 s。2、在选择了合适的核壳结构的CdSe@ZnS量子点作为浮栅后,进一步尝试了去优化有机晶体管存储器的器件结构以增大器件的电流密度。本论文提出了一种基于垂直结构的量子点浮栅型有机晶体管存储器。该垂直结构晶体管存储器具有纳米级的沟道长度和特殊的垂直方向电流传输,有效的提高了器件的电流密度和操作速度。该垂直结构晶体管存储器的记忆窗达到了68.5 V,记忆比大于104,保持时间大于104s,而且器件具有高的电流密度:2.5mA/cm2。3、为了进一步发掘这种垂直结构晶体管存储器在柔性上的应用,论文制备了柔性的PI基板,并以PI为衬底制备了柔性的垂直结构量子点浮栅型有机晶体管存储器,通过大量的实验研究了器件在不同弯曲半径和不同弯曲次数下的稳定性。