近年来,在光电器件领域涌现出许多种纳米材料,包括量子点、纳米线、纳米片和石墨烯等。然而,由于成本高、尺寸大、集成困难等诸多制约因素,传统的半导体纳米材料器件的大规模应用仍然面临着挑战。金属卤化物钙钛矿纳米材料,由于其高性能,低成本和材料组成的丰富性,受到了研究人员的广泛关注。第一个工作是制备铯铅卤化物钙钛矿纳米晶并对其光电性质进行研究。本文采取CVD方法制备了铯铅卤化物钙钛矿（CsPbX₃,X=Cl,Br,I）微晶结构。这些钙钛矿纳米晶体在波长403 nm光的激发下产生强烈的蓝色、绿色和红色荧光,表明它们的带隙可以被设计并能够覆盖整个可见光范围。基于无机铯铅卤化物钙钛矿纳米晶的不同带隙组成,可以获得宽波段光吸收和发射器件。在室温下成功实现了基于这些纳米晶组成的光学泵浦红-绿-蓝色回音壁模式激光器。此外,利用在蓝宝石上生长的这些金属卤化物钙钛矿纳米晶可以制备出具有高亮度的白光发光芯片。所有这些结果显然为红绿蓝激光器和白光发射器的设计提供了一条可行的途径,在全彩色显示器和光子器件中有潜在的应用前景。第二个工作是制备了大面积高质量铯铅卤化物钙钛矿单晶薄膜并对其光学性质进行研究。由于钙钛矿单晶薄膜在宏观尺度上具有几十微米的横向尺寸和几十至几百纳米的厚度,可以以可扩展的方式与其他现有的电子材料轻松集成,在可设计的配置中堆叠不同的钙钛矿单晶薄膜可以创建不能在纳米晶或纳米线中实现的复杂器件。本文采用了一种有效的CVD方法在单一基底上成功生长了形貌优异的大面积、高质量的钙钛矿单晶薄膜并研究了其光学性能。制备的纳米晶薄膜单个晶体边长10微米左右,厚度约为几百纳米。对钙钛矿单晶薄膜性能的研究,表明其具有潜在的商业应用价值。第三个工作是制备锡催化的硒硫化镉纳米线,并应用于光波导和室温高质量纳米激光器。纳米线由于较高的折射率,可以同时作为有源增益材料和光波导材料,因此在集成光子应用方面具有广阔的前景。为了实现优质锡催化硒硫化镉合金纳米线的生长,开发了一种简单的两步CVD方法,该方法操作简便、可控性强,制备的产物质量较高。微观结构表征表明这些线是高质量的结晶纳米结构。对这些纳米结构的局部光致发光研究表明,在656 nm处具有典型的带边发射,曲线峰的半高宽为22.3 nm。沿着单个纳米线的光波导测量表明,在102μm波长光的透射之后,输出光信号呈现快速线性下降趋势,其最大红色偏移值约为109 MeV。这种明显的红色偏移是由光传输过程中强烈的能带尾吸收引起的。此外,基于这些独特的纳米线结构,在室温下成功地制成了光泵浦纳米激光器,进一步证明了泵浦功率强度能够促进自发发射到受激发射的转变。这项工作提出一种简单制备优质纳米线的方法,并可能被用于制备波导和集成光子器件。