自石墨烯面世以来,人们对于与石墨烯相似,原子层通过范德华力堆叠的二维晶体产生了极大的兴趣,并且随着研究的深入,二维晶体家族也正在不断壮大。砷化硅（SiAs）作为IVA-VA族新型层状半导体中的一员,由于其新颖的p型半导体特性,引起了研究人员的广泛关注。单质砷（熔点:817℃）具有在高压条件下加热到613℃,不经液化直接升华的特点,因此高压环境对砷化物的反应条件十分有利;同时SiAs作为含砷元素化合物的一种,出于安全因素考虑,敞开生长体系并不能满足对于SiAs晶体的生长环境要求。具有高真空密闭特点的CVT体系,符合对于SiAs晶体的反应及生长要求,并且CVT体系作为一种有效的产物提纯手段,同样有利于实现高质量SiAs晶体的生长。本论文通过CVT法实现了SiAs晶体的生长,通过机械剥离制备二维SiAs晶体,对SiAs晶体的性质及光电性能进行了研究。主要研究成果如下:确定了CVT法生长SiAs晶体的实验条件,并实现了平均长度在2cm左右的条状SiAs晶体生长（部分可达3-4 cm）。借助XRD、STEM等表征手段,证明了CVT法生长的SiAs晶体具有很好的结晶质量。通过Raman光谱进一步研究了不同厚度SiAs晶体（3.31 nm-15.08 nm）的分子振动模式,首次在低波数区域发现了两个明显的拉曼峰位红移。借助其p型半导体特性,首次实现了基于p型SiAs晶体的p-n结器件构筑及光电性能研究。结果表明:p型SiAs/n型SnS2多层异质结在-1V到1V的源漏电压下,表现出明显的整流特性,正向导通电流与反向关断电流的比值接近10~2。在550 nm激光照射下,光响应度达到了1 A/W,明显优于纯的SiAs器件以及其他的IVA-VA族层状半导体器件;p型SiAs和n型MoS2多层异质结也表现出接近10~2的整流比,在700 nm激光照射下,明暗电流切换会更加稳定,且明暗电流切换比接近于6。本文进一步探究了SiAs晶体的性质,补充了关于IVA-VA半导体研究的空白。CVT法制备SiAs晶体为IVA-VA族晶体的生长和其他新型晶体材料的高质量合成提供了参考。此外,我们的工作表明p-SiAs晶体是一种具有潜在研究价值的光电材料,为进一步构建IVA-VA系列层状半导体p-n结等功能器件提供经验和帮助。