【摘 要】
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该文的目的来自于650nm半导体激光器产业化对理论基础的要求,因为激光器的性能与其结构密切相关,该文着重阐明其中的关系.由于650nm半导体激光器的有源层采取的是GaInP/AlGaI
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该文的目的来自于650nm半导体激光器产业化对理论基础的要求,因为激光器的性能与其结构密切相关,该文着重阐明其中的关系.由于650nm半导体激光器的有源层采取的是GaInP/AlGaInP应变量子阱结构,为了加大载流子限制,往往需要加入较大的压应变,这是需要调整阱材料中的Ga组分.因为激射波长是由阱材料中的Ga组分和量子阱的宽度两个量确定的,如果调整其中一个量,另一个必须做出相应的变化才能够实现预定波长的激射.而且阱的宽度不能太小,否则界面原子层的厚度起伏将影响光谱的质量.同时也不能太厚,如果超过临界厚度,将引起大量的位错,以至于不能激射.
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