磁畴和磁畴壁物理的研究,一直是磁学领域的重要内容。而石榴石磁泡薄膜中硬磁畴行为的研究,无论是对超高密度布洛赫线存储器的研制,还是对磁畴壁物理的发展都具有非常重要的意义。面内场和温度都是影响硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线（vertical Bloch line,简写为VBL）特性的重要因素。本文详细的实验研究了硬磁畴的行为与硬化脉冲偏场、面内场和温度的关系。得到的主要结果如下:1.实验研究了液相外延石榴石磁泡薄膜中哑铃畴的动态特性与硬化脉冲偏场的关系。发现用系列脉冲法产生的哑铃畴,其旋转方向与硬化脉冲宽度（τ_p）_h有关。在窄硬化脉冲宽度（τ_p）_h下形成的哑铃畴全部逆时针旋转;随着（τ_p）_h的增加,开始出现顺时针旋转的哑铃畴,即所谓的混合区域;进一步增加（τ_p）_h,哑铃畴全部顺时针旋转。而硬化脉冲幅度（H_p）_h和硬化脉冲次数（n_p）_h对哑铃畴的旋转方向没有影响。用低直流偏场法产生的哑铃畴,其旋转方向则与直流偏场H_b有关。在零偏场下,由枝状畴收缩成的哑铃畴全部逆时针旋转;随着H_b的增加,出现顺时针旋转的哑铃畴,即混合区域;当H_b进一步增加时,哑铃畴全部顺时针旋转。其旋转方向与硬化脉冲宽度（τ_p）_h、硬化脉冲幅度（H_p）_h和硬化脉冲次数（n_p）_h无关。对比固定直流偏场下的系列脉冲偏场法和低直流偏场法形成的硬磁畴的转动行为,认为脉冲偏场的下降沿起主要作用时,对应负VBL的形成;上升沿起主要作用时,对应正VBL的形成。2.实验研究了经面内场作用后的哑铃畴的动态特性,发现面内场对哑铃畴的初始状态没有影响,即VBL部分消失后,硬磁畴仍保持其原来的转动方向。由此证明了面内场不影响VBL的符号,并进一步支持了VBL成对消失的观点。3.实验研究了面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴（普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴）的影响,发现三类硬磁畴存在一个相同的临界面内场范围[H_ip¹,H_ip²]。纠正了(H_ip¹)_ⅡD<(H_ip¹)_ⅠD<(H_ip¹)_OHB的结论,并对此给出了解释。4.实验研究了直流偏场整形和温度交替作用对三类硬磁畴畴壁中VBL链的影响。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使VBL链解体的临界温度范围[T₁,T₂]。这里T₁是畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度,T₂是畴壁中VBL链完全解体的最小临界温度。对于三类硬磁畴而言,T₁是相同的,亦即畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度与畴壁中VBL的数目无关;而T₂则随VBL的数目增加而变大。进一步证明了温度作用下,硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的。证明了VBL的消失与硬磁畴的硬度无关,否定了Haisma等人的“较硬的硬磁泡比较容易损失VBL”的结论。