随着多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM)朝着多功能、高性能、高速度、微小化的方向飞速发展。高速信号经过MCM中的互连结构时,会产生反射、串扰等影响信号传输性能的问题;以及在MCM制造工艺中,由于工艺波动造成互连结构尺寸偏差所引起的传输性能变化的问题,严重制约和影响着MCM的质量和可靠性,已经成为MCM系统设计和制造的关键问题。　　本文针对上述问题,以MCM中互连结构为研究对象,分析了以下内容:　　(1)分析了MCM中chip to chip双条完整路径(MCM中连接两个芯片且为并排走向的传输线)的传输性能。首先根据完整路径上电场不连续性的原理,将完整路径分成独立的互连结构;然后针对独立的互连结构,考虑结构高频下的趋肤效应,对互连结构进行分段后提取结构的RLC参数,运用场路结合的方法获得其等效电路模型;最后将各互连结构等效电路模型串联成完整路径的等效电路模型并对该模型进行传输性能分析。　　(2)基于参数模型分析了工艺波动对互连结构传输性能的影响。首先通过正交试验设计方法分析了互连结构传输性能随尺寸变化的定量关系;运用多元非线性回归分析方法,得到互连结构传输性能的参数模型;然后通过在HFSS软件中建立相同的模型分析验证获得的参数模型的正确性;最后通过该参数模型,能快速而准确地分析工艺波动对互连结构传输性能的影响。　　本文目的是确保MCM中互连结构具有良好的传输性能,并且能快速地诊断和掌握工艺波动对互连结构传输性能的影响。本文的研究成果可应用于MCM设计和制造中,对减小产品的设计时间,提高芯片封装的质量和可靠性具有较好的现实意义。