LKKR方法研究MgO隧道结材料的特性

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自从磁性多层膜和颗粒膜系统中发现了巨磁电阻(GMR)效应和在磁性隧道结中发现隧道磁电阻(TMR)效应以来,由于它丰富的科学意义和实际的应用价值。磁电阻效应已经成为当前凝聚态研究领域中的热门课题之一。本文就磁性隧道结中的隧道电阻效应作了一些研究。在第一章中,首先简要介绍了磁性隧道结系统的研究背景和概况,随后对隧道磁电阻效应的相关机制作了简要的概括,特别对于隧道磁电阻分析了Julliere模型和Slonczewski模型两种常见的理论解释以及隧道哈密顿方法和量子力学的隧穿方法,并对两种理论方法作出了比较。在第二章中重点介绍了Layer Korringa-Kohn-Rostoker第一性原理计算方法及其相关的应用。本文第三章介绍的是通过LayerKorringa-Kohn-Rostoker第一性原理计算方法,对CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结高TMR值的现象进行研究。在这项研究中,利用第一性原理分析了硼原子在-Fe(001)|CoFeB(bcc)|MgO|CoFeB(bcc)|Fe-磁性隧道结中的作用。发现CoFeB由于含有硼原子而具有很强的自旋相关的散射效应,由于B原子的存在使得平行少子电导减弱,并且这种抑制作用会随着CoFeB层数的增加而增强。在极端情况下,当CoFeB的层数超过15层时,在隧穿结中将会发现几乎100%的自旋极化。同时由于高强度的自旋相关散射效应,反平行电导也会明显降低,从而导致CoFeB|MgO|CoFeB磁性隧道结TMR率的急剧上升,这与许多实验结果相一致。
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