近年来,ZnO作为一种用途很广的半导体材料,因其活性高、稳定性好、对人体无毒、成本低且在光催化处理污染水和空气中已广泛应用,而成为最具潜力的光催化剂。然而由于ZnO其固有的缺陷——光生电子-空穴对容易复合,这降低了其光催化活性。因此,要提高ZnO的光催化活性,就应减少光生电子与空穴的复合。将ZnO与其它半导体氧化物复合是提高其光催化活性的途径之一。ZnO和某些半导体材料能级匹配,光生电子和空穴可发生有效的分离,使其复合几率减小,从而提高ZnO的光催化活性。本文主要研究内容如下:（1）以Na₂CO₃和ZnSO₄为原料,采用直接沉淀法制备纯纳米ZnO光催化剂。通过实验确定其具有最佳光催化性能的制备条件:将Na₂CO₃溶液按摩尔比为1.5的比例逐滴加入到ZnSO₄溶液中,在80℃下反应0.5h后,中间产物经无水乙醇洗涤3次后经600℃煅烧1h制得的纳米ZnO具有最佳光催化性能。（2）以Na₂CO₃、ZnSO₄和ZrOCl₂·8H₂O等为原料,采用直接沉淀法经700℃煅烧1h得到的掺锆量为1.0 %（摩尔比）的纳米ZnO复合光催化剂粉体的光催化活性最高。XRD分析说明:随着煅烧温度的升高,纯ZnO和掺锆后的纳米ZnO复合光催化剂晶粒粒径也随之变大,但掺锆可以起到细化晶粒的作用。掺锆以后的纳米ZnO光催化剂的粒径随煅烧温度增长的活化能为16.6kJ/mol,相对于纯纳米ZnO的12.5 kJ/mol有所增大。（3）以Na₂CO₃、ZnSO₄和SnCl₄·5H₂O等为原料,采用直接沉淀法经600℃煅烧1h得到的掺锡量为5.0%（摩尔比）的纳米ZnO复合光催化剂粉体的光催化活性最高。XRD分析表明:随着煅烧温度的升高,纯ZnO和掺锡后的纳米ZnO复合光催化剂晶粒粒径也随之变大,掺锡也可以起到细化晶粒的作用。但与掺锆相比,掺锡细化晶粒粒径的作用更为明显。掺锡以后的纳米ZnO光催化剂的粒径随煅烧温度增长的活化能为6.592kJ/mol,相对于纯ZnO的12.5 kJ/mol减小近一半,这就表明煅烧温度对晶粒粒径大小的影响相对于掺锆而言有所减弱。