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InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)太阳能电池是一种新型的太阳能电池。通过改变In组分,InGaN的禁带宽度可以实现从0.7eV到3.4eV的连续变化,基本覆盖太阳光光谱,理论上可以制造光电转换效率极高的太阳能电池,因此受到大家的普遍关注。然而,高质量InGaN材料的生长非常困难,高光电转换效率的InGaN/GaN MQW太阳能电池还难以实现。目前,InGaN/GaN MQW太阳能电池尚处于研究阶段,国际上InGaN/GaN MQW太阳能电池的光电转换效率徘徊在0.5%到3%之间