铌酸锶钙钡晶体(分子式(Ca0.28Ba0.72)x(Sr0.60Ba0.40)1-xNb2O6,简写为CSBN)是由山东大学晶体材料国家重点实验室新近生长的一种具有钨青铜结构的优良光折变材料。CSBN晶体属于四方晶系,空间群为P4bm；具有非中心对称,类似SBN结构。根据CSBN晶体通式中下标x的不同取值,可分为三种型号CSBN25 (x=0.25), CSBN50 (x=0.50)和CSBN75 (x=0.75)。本文的主要工作是基于Michelson干涉仪及数字图像处理的方法对CSBN50晶体的部分光学性质进行了研究。其中包括对该晶体折射率及光致折射率变化行为的研究。具体工作包括以下几个方面：1.利用Michelson干涉仪器、步进电机旋转台、CCD相机等搭建了实验平台,对实验平台稳定性进行了测试并测量了CSBN50晶体的双折射率。折射率是晶体的重要光学参数,也是衡量晶体物理特性最基本的内容之一。测量晶体折射率的方法很多,但是折射率测量的范围和精度一般都因为方法本身所要求的条件而受到不同程度的限制。干涉法精度高且没有破坏性,近年来成为研究热点。本论文在Michelson干涉仪的基础上添加整合了步进电机旋转台及CCD摄像机等组成了一套测量透明介质折射率的实验装置。在此实验装置的基础上,提出并研究了基于Michelson干涉仪等厚干涉及数字图像处理的透明介质折射率测量方法,并分别测量了CSBN50晶体的主折射率,得到了其双折射率。2.利用图像处理的方法研究了Michelson干涉仪补偿法。推导了折射率n与条纹周期数N(整数)的关系式,通过此关系式可以对折射率的测量值进行对比与修正。3.改进了实验平台,研究了基于图像处理的CSBN50晶体的光折变行为。光折变非线性光学是非线性光学研究领域的一个重要分支。本论文在上述实验平台的基础上进行了改进,添加了外电场,利用CCD拍摄的干涉图灰度对比的方法研究了CSBN50晶体在外电场及无外电场、偏振光写入及读出下的光致折射率变化行为。通过对观察到的现象进行分析得到了有关CSBN50晶体光折变性质的如下结论：(1)在激光波长为632.8nm、功率1.5mW的情况下,CSBN50晶体在无外加电场下经过80分钟的激光辐照其光致折射率变化不明显,而在晶体光轴方向施加外电场的情况下(电压从0v增加到1200v,作用距离L=4.98mm)可以观察到明显的光折变现象,折射率变化量级为10-4。(2)在CSBN50晶体光轴方向施加外电场的情况下晶体光折变效应具有如下特点：(a)所加外电场越大,折射率变化越大;(b)在。偏振下与e偏振下,折射率随电场变化的方向相同；(c)施加反向电场折射率变化方向改变,并与正向电场下变化幅度大体对称；(d)e光折射率变化比。光折射率变化要明显。