本论文采用逐渐释放沉淀剂的沉淀法对CeO2超细抛光粉的制备工艺进行了研究，实验过程解决了两方面的问题：其一是CeO2超细粉体的制备；其二是CeO2超细粉体的表征。 　　通过实验，确定了用“氨水+草酸”作沉淀剂制备氧化铈超细抛光粉的最佳工艺条件：分散剂用聚乙二醇，反应物浓度为0.15～0.2mol/L，沉淀剂氨水浓度为2mol/L、草酸浓度为100g/L，pH值具体如下：沉淀剂氨水滴到终点为8～9；沉淀剂草酸滴到终点为2～3，沉淀温度为70～80℃，焙烧温度为650℃。 　　研究了pH值对Ce(OH)4水分散体系Zeta电位的影响，当pH约为7时，体系的Zeta电位为0，也就是体系的等电点(I.E.P)为7，当pH等于9时，Zeta电位达最大值-35.5mV；同时也测试了pH对“NH3+C2O42-”水分散体系Zeta电位的影响，当pH约为7.0时，Zeta电位为0，达到等电点(I.E.P)，当pH=2时，Zeta电位也达到最大值27.4mV。利用DTA/TG热分析和XRD对氧化铈样品粉末前驱体的热分解行为进行了研究，粉末前驱体在160℃左右时开始分解。利用XRD、SEM和BET等现代物理测试方法对氧化铈超细粉体的物相、分散性、颗粒形貌和比表面积等性能进行了表征，650℃焙烧的粉体呈现出良好的结晶状态，为立方萤石结构，粉体的比表面积在10m2/g以上，呈较良好的分散状态。 　　粒度测试表明，不同条件制备的氧化铈超细粉的D50都小于1μm，达到了预期目标。 　　抛蚀量测试表明，当焙烧温度低于650℃，保温时间低于3小时，随焙烧温度的升高，抛蚀量升高；在焙烧温度为650℃、保温时间为3小时所制得的超细抛光粉抛蚀量达到最大值；之后，继续提高焙烧温度、延长保温时间，其抛蚀量反而下降。因而可以确定超细稀土抛光粉的最佳焙烧条件：焙烧温度为650℃，保温时间为3小时。