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如今,随着各种电子产品的迅速发展,新型材料的研究迫在眉睫。为了提高单一材料的性能,越来越多的研究者开始探究异质结的性质,希望能生长出同时具有各个材料的性质同时又能避免单个材料的缺点的新型材料。氧化锌(Zn O)是一种有着六方纤锌矿结构的直接宽带隙半导体,由于其薄膜具有高的激子结合能和透明导电性,是一种新兴的光电子信息材料,在发光二极管、稀磁半导体、透明薄膜晶体管等方面都有着很大的应用前景。钙钛矿氧化物比如钛酸钡(BTO)、钛酸锶(STO)常用于制备巨磁阻、压电、高温超导等多功能材料,具有优良的特性。如果能制备出Zn O与钙钛矿氧化物的异质结,就有可能将纤锌矿与钙钛矿氧化物两者的性质相结合,实现多功能器件。我们分别采用脉冲激光沉积(PLD)在导电玻璃上制备Zn O/BTO异质结和磁控溅射在NSTO衬底上生长Zn O薄膜,通过XRD的θ-2θ扫描,ω扫描,φ扫描对Zn O与钙钛矿氧化物的异质结进行了分析,并对其电学特性进行了研究。采用PLD技术在导电玻璃(FTO)衬底上生长Zn O/BTO异质结,从X射线θ-2θ扫描结果上可以看出薄膜为多晶,通过分析可知,由于晶格失配较大,造成多晶膜的产生,造成了薄膜漏电流较大,所以我们做了一些实验改进。我们采用磁控溅射技术在掺铌钛酸锶单晶衬底上制备了Zn O薄膜,从X射线θ-2θ以及φ扫描的结果表明,我们制备的Zn O薄膜为c轴极性外延膜,而且是单畴外延生长。Zn O与NSTO之间沿<1-100>Zn O方向的失配,计算得到为1.9%,计算沿着<11-20>Zn O方向的晶格失配得到为-16.8%。从SEM图中看出薄膜生长的质量很高。通过技术手段制作了上下欧姆接触的Au和ln电极,然后测试的I-V曲线展现了良好的整流特性。当我们给以施加不同时间段的磁场作用后,观察到器件的整理特性变差,器件的势垒高度减小,同时,Zn O/NSTO异质结的界面态密度增加了一个数量级,这些改变也在I-V曲线得以体现,随着磁场作用时间的增加,器件出现了一个双极性电阻开关(RS)并且伴随着一个负微分电阻特性(NDR)。我们还提出了一个界面态模型来解释这一现象。随着不同磁场作用时间,Au/Zn O/NSTO/ln器件负向电阻会呈现连续变化的趋势,这种器件可以作为多级阻变存储器。但是具体的磁场如何对界面态的影响,以及多大的磁场,作用多长时间才能时其发生变化,还是我们更加关心的一个方面。所以这是我们下一步实验所要做的工作。我们利用物理性质测量系统(PPMS),分别对所制备的Zn O/NSTO、Zn O/STO异质结器件在常温下做了磁滞回线(M-H)测试,通过对我们测试的结果对比分析证明Zn O/NSTO、Zn O/STO异质结构的界面对器件本身的性质改变很大,我们所制备的Au/Zn O/NSTO/ln器件所展现出来的一些电学特性,其根本来源应该是来自于Zn O/NSTO这个界面的。而且磁场对这个界面是有影响的,才会改变器件的电学特性。测试M-T的结果表明磁场虽然对样品是有影响的,但是其本身展现的磁性比较弱。