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本文阐述了磷化铝镓铟(A1GaInP)基发光二极管(LED)的发光原理及市场上主流的技术现状,分析了目前产业化需求户内小间距显示屏的新技术及成本需求,为填补传统工艺间的亮度空白,研究了一种介于传统正极性芯片及反极性芯片之间的工艺方案:低成本高效率高可靠性的电流阻挡(Current Blocking简称CB)与粗化工艺组合的AlGaInP基LED。本论文是在传统正极性工艺基础上进行CB及粗化工艺上的研究,主要工作内容如下:1、对比了传统正极性芯片结构与CB电流阻挡结构的电流注入模型,分析了 CB结构的技术优势。根据CB电流阻挡工艺的原理,设计生长了三种不同GaP掺杂浓度和梯度的外延结构。通过改变不同CB开孔深度、不同Indium Tin Oxide(ITO)厚度、ITO透过率等芯片工艺条件,研究出最优的CB外延结构:80 nm的GaP表层欧姆接触层和500 nm厚的过渡层,掺杂浓度分别为2×1019/cm3和7×1018/cm3;及最佳的芯片工艺条件组合:CB开孔深度70nm,ITO蒸镀温度300 ℃、氧流量10sccm、厚度280nm。该CB工艺条件下器件性能正常,且亮度比传统结构提升了 17%～18%。2、然后,在CB最优工艺的基础上,研究了降低全反射来提升LED外量子效率的粗化工艺。通过设计不同欧姆接触图形、不同浓度配比的粗化溶液以及粗化深度和形貌来提升器件的性能。得到的优化工艺为:欧姆接触E图形设计、在C粗化条件(碘酸系1 min三次+氟化物30 s三次)下粗化深度控制在420～530 nm。在该条件下LED的亮度可提升12.67%～15.47%。结合CB工艺条件,该器件的亮度比传统正极性结构提高40%。通过以上研究工作得到优于传统正极性的CB加粗化工艺条件。此工艺制备的高效率高可靠性的AlGaInP LED,芯片的性能得到了较大提升,满足现有小间距芯片市场需求同时成本低廉,性价比高,产业化优势明显。