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硅是微电子学中应用最为广泛的材料,但由于硅是间接带隙的半导体,禁带宽度窄,发光效率很低,因而限制了它在光电子领域中的应用。1990年,英国科学家Canham首次观察到室温下多孔硅强的可见光致发光,并用量子效应进行了解释,为实现硅基光电子集成指明前景,使多孔硅迅速成为世界范围内的研究热点。1996年以多孔硅为基础材料的光电集成电路的实现使得这种前景更加诱人,同时也为全硅基光电子集成提供了可能。多年来人们为了得到发光稳定且波长范围较宽的多孔硅的光致发光进行了广泛深入的研究,采取稀土掺杂,金属辅助电化学腐