【摘 要】
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紫外光探测和能量存储一直是光、电领域的重点研究课题,本文以GaN和SnO2为出发点,分别进行了这两种材料一维纳米结构的制备、结构形貌分析、光电特性研究等的工作。本文主要结
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紫外光探测和能量存储一直是光、电领域的重点研究课题,本文以GaN和SnO2为出发点,分别进行了这两种材料一维纳米结构的制备、结构形貌分析、光电特性研究等的工作。本文主要结果如下:1、采用化学气相沉积法在镀Au的p-n GaN薄膜上制备了斜生长的GaN纳米线,分析了其生长机理,并研究了反应过程中压强、衬底距源的位置对产物形貌的影响。2、对GaN纳米线/GaN薄膜进行了紫外探测性能研究,在零偏压下,对365nm紫外光有着非常强的光电相应,开关比达到1800倍,比没有生长GaN纳米线的GaN薄膜高出20倍。并分析了紫外探测的响应机制。3、采用化学气相法首次合成SnO2包覆定向MWCNTs的复合材料,通过X射线衍射(XRD),场发射扫描显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等对复合材料的结构和形貌进行了研究,所得样品非常整齐的垂直于衬底向上,非常均匀,直径为100200nm。每根碳管都包覆的比较一致。4、通过循环伏安等手段对所得材料进行了电学方面的研究,结果表明包覆SnO2后所形成的复合电极的循环伏安曲线出现了非常明显的氧化还原峰。通过比较发现,包覆SnO2后的复合电极容量有较大增加。5、研究了不同电解质对复合电极循环伏安特性的影响,结果表明复合电极在0.5M/L Na2SO4电解液中电容表现优于在1M/L H2SO4电解液中。
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