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随着经济的发展和能源环境问题的突出,光催化技术逐渐成为近年来的一个研究热点。TiO2以其催化活性高、稳定性好、价格低廉、对人体无害等优点倍受青睐,成为广受关注的一种光催化剂,但TiO2禁带宽度较大(Eg=3.2 eV),仅能利用太阳光频谱中的紫外光部分(<4%),对太阳光的利用率低。因此,寻找能够充分利用太阳光的新型光催化剂具有重要意义。本文研究含钒的不同半导体光催化剂(V2O5、Ag3VO4)的活性,并分别对其进行改性研究：1.利用浸渍法制备了一系列V2O5/CeF3催化剂,并对其光催化降解丙酮性能进行考察。结果表明,450℃焙烧掺杂量为15%的V2O5/CeF3催化剂具有最佳的光催化降解性能,丙酮的降解率达85%,且其具有良好的稳定性。通过XRD、UV-Vis、BET等方法进行表征,结果表明,V2O5的加入促进催化剂吸收红移,有利于光催化降解,而CeVO4晶相的生成则降低催化剂的比表面积,不利于丙酮降解。2.分别制备了Co3O4、Ag3VO4、Co3O4、Ag3VO4催化剂,以在可见光照射下降解罗丹明B为目标反应考察样品的光催化活性,并对光催化剂进行各种表征。实验结果表明,Co3O4的掺杂量及焙烧温度对复合催化剂的光催化活性有较大影响,当Co3O4的掺杂量(wt%)为3%、焙烧温度为400℃时,Co3O4/Ag3VO4的光催化活性最佳,在可见光下80 min内罗丹明B完全降解。基于XRD、SEM-EDS、UV-Vis等表征结果,我们认为Co3O4与Ag3VO4之间存在偶合效应,由于这两者具有合适的能带电势Ag3VO4导带上的光生电子能迁移至Co3O4的导带中,而Co3O4价带上的空穴能迁移至Ag3VO4的价带中,这种载流子的迁移有效的促进了光生电子空穴对的分离,从而促进了光催化性能的提高。负载量和焙烧温度能影响这种载流子的迁移过程,因而有一最佳负载量和焙烧温度。此外催化剂对可见光的吸收能力的不同也是原因之一