AlGaN是一种重要的宽带隙半导体材料,具有优异的材料性能。基于AlGaN的高频、高压、大功率器件在航天、核能、通信等领域有很大的需求。由于器件工作于辐照环境下,以及离子束注入、辐照改性在器件制造中的重要地位,开展AlGaN材料辐照效应的研究意义重大。而对于光电器件,材料光学性质对辐照的响应尤为重要。本工作使用能量为4MeV的Kr离子辐照AlGaN/A1N薄膜,离子注量范围为1×1011～5×1014ions/cm2。通过透射光谱、拉曼光谱和光致发光谱测试,对由辐照引起的样品光学性质的变化进行了研究。测试得到了原生样品和辐照样品的紫外可见近红外透射光谱。采用包络线法(the envelope method)和逐点约束最小化算法(PUMA)两种方法处理透射光谱得到了AlGaN/AlN薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学常数。对吸收系数曲线利用Lucovsky模型分析了辐照在AlGaN禁带中引入的缺陷能级。通过Tauc关系得到了各注量样品的光学带隙。分析了折射率、消光系数、光学带隙随辐照离子注量的变化机理。通过微区Raman光谱分析了样品的组分、辐照引入的缺陷等信息。住高注量样品的Raman光谱中出现了空位、间隙原子相关的局域振动模式,并且出现了无序激活Raman散射模式,由于无序激活Raman散射引起了A1(LO)模式的红移。光致发光谱表明辐照在样品中引入了深能级缺陷,与这些缺陷相关的非辐射复合使得黄光发射峰强度降低。通过本论文的研究,获得了AlGaN/A1N外延薄膜材料晶体结构、光学性质等对于MeV重离子辐照随离子注量的变化规律。本文的研究方法和结论对于工作在辐照环境下的A1GaN/A1N基光电器件的可靠性研究以及AlGaN/A1N外延薄膜材料光学常数随离子注量变化的机理研究有参考作用。