在制备复合材料中,碳纳米管和碳化硅晶须易受到空气和基体材料侵蚀而失效。通过给碳纳米管和碳化硅晶须包裹硅保护层可有效地解决这个问题。本论文采用准原子层沉积方法,利用硅烷的原位热分解在碳纳米管和碳化硅晶须表面镀覆硅膜。硅膜厚度通过调整每次循环中导入反应室硅烷气体的数量和循环次数控制在纳米尺度范围。通过X射线衍射、透射电镜和拉曼光谱对硅镀层的相组成和结构进行分析。结果表明:硅以立方相多晶形式存在。准原子层沉积方法实现了均匀镀硅。DSC/TG分析表明碳纳米管的起始氧化温度为571.2 oC,硅碳纳米管的起始氧化温度高达676.3 oC,比未镀覆的碳纳米管要高大约101.5 oC。硅镀层越厚,碳纳米管的质量损失越少,硅对碳纳米管的保护作用越强。镀硅碳化硅晶须样品的起始氧化温度也有所升高,这说明硅镀层有效的提高了碳纳米管和碳化硅的热稳定性,对样品起到了一定的保护作用。未镀硅碳纳米管和碳化硅晶须、镀硅碳纳米管和碳化硅晶须为增强体,硼硅玻璃-氧化铝和金属铝分别为基体热压烧结制成复合材料。抗折强度实验表明,镀硅的碳纳米管和碳化硅晶须增强的硼硅玻璃-氧化铝复合材料抗折强度比未镀硅样品分别高17.65%和23.86%。镀硅碳化硅晶须增强的铝基复合材料抗折强度,明显比未镀硅碳化硅晶须增强的样品高24.13%。这表明硅镀层避免了碳纳米管和碳化硅晶须在热压烧结过程中的失效。