文主要研究的就是用于SSD技术中的准速度匹配电光位相调制器。 从晶体的电光效应入手，随后介绍了电光调制器的形式与结构，并结合ICF系统的要求与已经指标确定调制器的具体参数。在设计调制器的过程中，由于光波与微波在晶体中的折射率不同，因此两者速度不同，造成速度失配，使得调制度无法一直增大。针对这一情况，采用晶体畴反转结构，即改变受到微波负调制区域的晶体的电光系数符号，使光波在此区域仍旧受到正调制，从而达到准速度匹配。除了设计畴反转区域以外，根据微带线理论公式得到了微带线的各项指标。 在调制器的制作过程中，详细研究了大面积并且厚度达到1mm的钽酸锂晶体的电场室温极化过程，针对在极化过程中外部施加高电压时产生的回流现象，采用了改变极化时间来抑制，取得了很好的效果。利用热释电和化学腐蚀方法，证实了成功地实现了钽酸锂晶体的大面积畴反转。该方法可以用于晶格结构相同的大面积铁电晶体的极化。除了晶体极化以外，利用光刻、溅射等工序在晶体上制作了微带线，并对器件进行了封装测试。通过对器件的微波谐振特性与频谱展宽特性的测试，实现了在微波频率为3GHz条件下的调制器制作。 另外发现，周期性畴反转结构仅能实现单一频率的准速度匹配，且调制频率越高，靠近响应频率附近越陡峭。如果微波源的输出频率或者温度发生漂移，可能无法实现高调制度的位相调制。所以，设计了基于非周期畴反转结构的行波位相调制器，通过遗传算法来优化畴反转结构优化，在3GHz的中心频率下获得了0.3GHz和0.5GHz的平顶频谱响应。通过数值模拟，得知制备工艺误差对器件性能的影响不大。