本文主要内容是课题组前期工作的延伸,对无氧扩散技术进行实验验证。首先,本文介绍了无氧扩散技术路线及其关键步骤:硼掺杂非晶硅源层沉积、高温硼扩散、残留源层刻蚀;其次运用无氧扩散技术制备p+层发射极样品,探讨扩散温度、扩散时间、源层厚度对扩散层方阻及硼掺杂浓度曲线影响,并对比两种低压无氧扩散与常规BBr3扩散所得方阻值及硼掺杂浓度曲线差异,从而对无氧扩散技术有了初步认识;在上述初步实验分析基础上,基于无氧扩散技术制备扩硼层表面钝化样品及TOPCon太阳电池,用WCT-120对扩硼层表面钝化样品Lifetime、理论开路电压(iVoc)进行表征分析,用IV测试仪对电池转换效率(Eff)、短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、填充因子（FF）表征分析,用量子效率测试仪对电池内量子效率（IQE）、反射率（R）进行表征分析,并探讨上述电学及光学性能随硼烷掺杂流量变化规律。主要结论如下:（1）由SIMS测试扩散层（无氧扩散技术制备）硼掺杂浓度曲线可知,用无氧扩散技术制备p+发射极过程中确实无氧的引入;（2）与常规BBr3扩散相比,用无氧扩散技术制备所得p+发射极方阻值更低,导电性能更佳,并且扩散层硼掺杂浓度曲线更加优异;（3）随源层硼烷掺杂流量降低,TOPCon太阳电池Isc及Voc逐渐升高,短波段（300-500nm）光谱响应变好,填充因子逐渐降低;源层硼烷掺杂流量为13sccm时制备的TOPCon太阳电池效率最高,最高效率达22.29%,此时Voc为699.4m V,Isc为9.711A,FF为80.16%。