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中间带太阳能电池(IBSC)作为一种高效的太阳能电池如今已经被科学界广泛关注。中间带太阳能电池器件已经通过量子点、高失配合金、深层杂质材料的掺杂等方式制备出来。铜基CuGaS2化合物具有相对较宽的能带宽度(2.4eV),并不适合作为单节太阳能电池的吸收层材料,然而却是中间带形成的最佳基体材料。本文采用涂敷工艺制备CuGaS2薄膜中间带材料,重点研究了两个方面:1.采用Cu2S、Ga2S3两种硫化物作为原始材料,无水乙醇作为研磨介质,采用球磨工艺获得前驱体料浆,涂敷制备前驱体薄膜,通过热处理得到CuG