金刚石复合材料以其优异的性能,在电子封装领域的应用越来越广。本实验的目的是在低温下制备出具备优异综合性能的金刚石复合材料。本实验选择低熔点玻璃与金刚石复合制备金刚石复合材料,系统地研究了烧结温度、添加剂种类及烧结工艺等对玻璃基础性能及金刚石复合材料性能的影响。研究表明:常压烧结条件下,780℃为金刚石/基础玻璃复合材料的最佳烧结温度。在六种添加剂中,CeO₂/Y₂O₃与CeO₂/Y₂O₃/Ti对玻璃和金刚石/玻璃复合材料性能的影响最大,其次为CeO₂、CeO₂/Ti、Y₂O₃,Ti的影响最小。总体来说,随添加剂含量增加,玻璃耐火度先减小后增加,而流动性先增加后降低。以4 wt.%CeO₂/Y₂O₃（两者质量分数比为1:1）为添加剂时,复合材料结构较致密,抗弯强度最大,达108.56 MPa;以4 wt.%CeO₂/Y₂O₃+2 wt.%Ti为添加剂时,复合材料热导率最高,达4.78 W/（m·k）。同时,随添加剂含量增加,金刚石复合材料介电常数呈下降趋势,在1 KHz测试频率下的介电常数在7-14之间;1 MHz测试频率下的介电常数在3-7之间。添加剂会使金刚石复合材料热膨胀系数降低,制备的金刚石复合材料热膨胀系数在（3.7-4.1）×10^-6/℃范围内,与Si元件匹配性好,满足电子封装的要求。在热压烧结、SPS烧结、气氛烧结、常压烧结四种工艺中,以热压烧结方式制备的金刚石复合材料结构最致密,热导率最高,可达18.17 W/（m·k）,是相应常压烧结复合材料热导率值的3.80倍,但其介电常数也最高。