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北岩茶业肉桂茶包新品上市整合营销传播策划方案
【出 处】
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南京大学
【发表日期】
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2021年01期
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三维相变存储器（3D PCM）使用多层交叉堆叠结构在保持优异存储性能的同时成倍提高了存储密度,因而备受业界关注,但随着阵列规模的提高,流经被操作存储单元以外单元的漏电流越来越大,这将带来严重的误读、误操作和功耗增加等问题。传统的三端选址器件（如MOS管）不适合进行三维堆叠,因此需要开发二端选址器件——选通管与相变存储单元集成来抑制漏电流,其中Ovonic Threshold Switch（OTS）
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