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本文研究了在铜衬底上使用化学气相法(CVD)沉积形成单层与多层石墨烯薄膜,将薄膜转移到氧化硅衬底上之后,使用六氟化硫气体,以不同的等离子激发条件对石墨烯薄膜进行氟化,制备得到不同氟化程度的氟化石墨烯薄膜。并对所得的氟化石墨烯薄膜进行拉曼、XPS、方块电阻等方面的表征,着重研究了氟化条件对石墨烯性质的影响,讨论了石墨烯氟化的机理。研究了氟化石墨烯／石墨烯异质结的制备以及在电子器件方面的应用。本研究的主要结论如下：本研究采用CVD法生长单层石墨烯以及单晶多层石墨烯,单层石墨烯采用湿法转移以及冒泡法转移；