Ⅲ族氮化物基稀磁半导体纳米材料的制备与高压物性研究

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III族氮化物基纳米稀磁半导体的制备及其物性研究是目前凝聚态物理与纳米材料研究领域热点课题。该论文采用直流电弧等离子体方法对Mg、Co掺杂AlN和Mn掺杂GaN基纳米稀磁半导体的制备和高压相变进行了系统的研究,取得了如下创新性研究成果:1.制备出多种不同形貌的Co掺杂AlN纳米结构,对其结构、形貌及物性进行了研究,发现它们都具有室温铁磁性,并对生长机制和磁性来源进行了合理解释。2.制备出多种不同形貌的Mg掺杂AlN纳米结构,对其结构、形貌及物性进行了研究,发现它们都具有室温铁磁性,并对生长机制和磁性来源进行了合理解释。3.制备出Mn掺杂GaN纳米颗粒与纳米花瓣结构,对样品的结构、形貌及磁性进行了研究。发现它们都具有室温铁磁性,并对生长机制和磁性来源进行了合理解释。4.采用原位高压同步辐射技术,分别对AlN:Mg和AlN:Co纳米线的高压相变进行了研究,发现掺杂离子半径的大小对其相变压力有明显影响。
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