自从1947年第一个晶体管在贝尔实验室被发明以来,半导体器件在人类现代生活中变得越来越重要。晶体管、二极管和集成电路是组成现代电子电路及计算机的基础,几乎无处不在。通过不断改善半导体材料质量和制造工艺,半导体器件的性能在不断提高,尺寸不断减小,而且应用更加广泛,如发光二级管,太阳能电池,光电探测器和高性能的电子器件等。对半导体各种属性的控制能力能够决定所制造的半导体器件工作性能的优劣,因此,数十年来科研人员一直在进行各种半导体材料及器件的研究工作。GaN半导体材料作为宽禁带半导体材料的代表,具有良好的物理特性和化学稳定性,能够工作在高频、高温,强辐照等苛刻的环境中,在大功率器件应用以及军事和国防领域发挥出愈发重要的作用。随着近年来GaN外延材料质量的不断提高,其半导体器件的性能也得到了很大的提升。InAlN/GaN异质结在In组分为17%时,可以形成近晶格匹配,通过材料自发极化产生高浓度的二维电子气,同时具有很高的载流子迁移率。由于不存在压电极化,InAlN/GaN异质结具有比AlGaN/GaN异质结更好的可靠性。本文基于InAlN/GaN肖特基二极管,研究了其电流的传输机制。首先,通过分析了InAlN样品表面01s的XPS能谱,证实了暴露在空气中的InAlN样品存在被氧化的成分。然后通过欧姆接触的Ⅰ-V测试发现BOE溶液处理可以有效去除氧化层。通过C-V测试发现异质结界面处存在高浓度的二维电子气,并通过变温Hall测试表明样品在载流子迁移率随温度升高而下降,二维电子气浓度随温度先升高后下降。其次,通过测量300-485 K温度范围内InAlN/GaN肖特基二极管的正向Ⅰ-Ⅴ特性,采用传统的热电子发射模型计算得到的肖特基势垒高度与温度呈现强烈的正相关,这与文献报道的其他半导体肖特基二极管的负相关性产生了矛盾。通过引入其他的电流传输模型,采用拟合的方法,我们发现隧穿电流在整个电压范围内起很大作用。而在相对高偏压下,热电子发射模型拟合结果与实验数据有较好的吻合。通过高偏压下的热发射模型拟合参数计算得到300 K温度下更精确的肖特基势垒分别为1.434 eV(Si衬底)和1.413 eV(蓝宝石衬底)。而且肖特基势垒高度随温度呈现负相关性。最后,我们通过测量300-485 K温度范围内InAlN/GaN肖特基二极管的反向Ⅰ-Ⅴ特性,发现在300K-485K温度范围内的反向漏电流符合Frenkel-Poole发射模型。而由于样品中高密度位错的存在,反向漏电流应该主要由位错处的束缚态的电子发射以及位沿错线的电子传导来实现。