本文用提拉法生长出一系列掺铟铌酸锂（In：LiNbO₃）晶体，并对晶体进行极化和加工处理。通过大量实验并结合理论分析，设计了合适的温场，适宜的提拉速度和旋转速度等晶体生长的工艺参数。 本文运用X-射线技术，对In：LiNbO₃晶体进行了物相分析，测定了晶体的结构和晶格常数。测试结果表明，In：LiNbO₃晶体仍然保持纯铌酸锂LiNbO₃晶体的晶体结构，但是其晶格常数随掺In³⁺浓度的增加而增加。测试了In：LiNbO₃晶体的红外吸收光谱和紫外-可见吸收光谱，分析了不同掺杂浓度的In：LiNbO₃晶体的吸收边相对移动的现象，确定了In³⁺的掺杂阈值浓度为2mol％。研究表明，In：LiNbO₃中，In³⁺首先取代占据Li位的反位Nb，完全取代后，才开始取代正常晶格上的Li⁺，这一结果和X-射线衍射测试结果相符。 本文用全息法和直接观测光斑畸变法测试了In：LiNbO₃晶体的抗光折变能力，结果表明，In（2mol％）：LiNbO₃晶体的抗光损伤（光折变）能力比纯LiNbO₃晶体的抗光损伤能力提高2个数量级以上。采用相位匹配方式测试了In：LiNbO₃晶体的倍频性能，结果表明，未镀膜的In（3mol％）：LiNbO₃晶体的倍频转换效率为36％，相位匹配温度为51℃。In：LiNbO₃晶体是一种新的优良的倍频晶体材料。