当前全球面临着能源短缺和环境污染这两大问题,光催化技术在解决这两个问题上有着非常广阔的前景,因为光催化技术相对于其他的治理方法更加的有效,温和并且不存在二次污染。半导体光催化技术是指半导体在可见光或紫外光的照射下,将污染物分解成低分子物质,并且进一步分解生成水、二氧化碳、其他无机离子的过程。硫化铋作为一种窄带隙（1.2～1.7eV）半导体材料,具有良好的可见光吸收性能,是一种极具发展潜力的光催化材料,近年引起了大家的广泛关注。但由于带隙较窄,光生载流子容易复合,且稳定性较差等问题制约了其在光催化领域的应用。针对这些问题,本论文分别通过形貌调控以及将其与其它半导体复合对其改性,借此改善其光催化性能。具体研究内容如下:1.以五水合硝酸铋、二水合钨酸钠、硫代乙酰胺为原料,首先采用水热法合成了由纳米片组装成的空心球状Bi₂WO₆球花,再以Bi₂WO₆为模板,通过原位拓扑转化法,得到由纳米棒组装成的具有分级结构的Bi₂S₃中空微球,采用XRD、FESEM、DRS、TEM、EDS、XPS、和PL等方法,对所制备光催化剂的结构、形貌等进行表征分析,通过降解有机染料罗丹明B（RhB）和环丙沙星（CIP）溶液对样品的光催化性能进行了评估。结果表明,Bi₂WO₆与Bi₂S₃对罗丹明B（RhB）和环丙沙星（CIP）均具有可见光降解能力,在可见光下照射75min对Bi₂WO₆对RhB和CIP降解率分别为45%和22%。而Bi₂S₃在相同时间相同条件下对RhB和CIP降解率分别达到96%和75%,表明空心球状Bi₂S₃具有更优异的光催化性能。2.采用水热法合成了 Bi₂S₃/Bi₂WO₆微球,通过XRD、XPS分析了 Bi₂S₃/Bi₂WO₆异质结的晶体结构、化学组成,通过FESEM、TEM分析了样品的微观形貌,通过DRS分析了样品的光学吸收特性,通过PL分析异质结材料的光生电子空穴复合率,通过降解有机染料罗丹明B（RhB）和环丙沙星（CIP）溶液对样品的光催化性能进行了评估。结果表明:Bi₂S₃/Bi₂WO₆微球具有优良的可见光响应能力,在可见光照射下,Bi₂S₃/Bi₂WO₆对罗丹明B和环丙沙星的降解率分别达到79.2%和62.85%,并初步探讨了 Bi₂S₃/Bi₂WO₆复合材料的光催化降解机理。3.采用水热法合成了 Z型AgInS₂/Bi₂S₃异质结光催化材料,通过多种表征手段对AgInS₂/Bi₂S₃异质结光催化材料的晶体结构,微观形貌,化学组成等进行了研究,通过降解有机染料罗丹明B（RhB）和环丙沙星（CIP）溶液对样品的光催化性能进行了评估。结果表明:AgInS₂/Bi₂S₃微球具有优良的可见光响应能力,在可见光照射下,Bi₂S₃/Bi₂WO₆对罗丹明B和环丙沙星的降解率分别达到96%和84.7%,初步探讨了 Z型AgInS₂/Bi₂S₃异质结光催化材料的光催化降解机理。