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电力电子技术的发展对功率半导体器件提出更高的要求,并促进了新型功率半导体器件的诞生。MPS(Merged PIN-Schottky)功率二极管的结构是在肖特基二极管的基础上,在阳极内嵌P+小岛,形成类似于肖特基二极管和PIN二极管的并联,不同的是,肖特基区域和P+区域通过漂移区相互影响,使器件性能得以优化。它结合了二者的优点,既具有肖特基二极管开启电压小、反向恢复时间短、反向恢复峰值电流小的优点,还具有PIN二极管高耐压的优势。优良性能使其能更好的应用在高温高频系统中。为了制造性能优良的MPS二极管器件,本文利用器件仿真软件,对MPS二极管的特性进行仿真模拟与设计。首先,对仿真中所选取的物理模型进行分析,利用这些物理模型对MPS二极管的特性进行仿真,并与理论结果进行对比,以确保仿真正确,在此基础上确定优化方案。其次,对1200V MPS结构参数进行设计,利用恰当的折中曲线选取器件结构参数如:漂移区厚度和掺杂浓度,横向肖特基/P+比例及元胞尺寸。第三,对器件接触功函数和漂移区载流子寿命对器件性能的影响进行仿真分析,给出使得器件性能优化的参考数据范围。第四,对已设计器件进行工艺设计和条件进行仿真,给出具体工艺参数。最后,设计出制造器件工艺流程所需版图。本文完成了1200V MPS二极管的设计,系统地给出器件设计整体流程,为类似的MPS二极管的设计和研究提供一种参考思路和方法。