【摘 要】
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LaMnO是多种锰氧化物CMR材料的母系材料.它本身具有反铁磁绝缘的基态,但在La位不同离子(Ca、Ce)掺杂会在其半满的导带中掺入空穴或电子使得其电子输运、磁特性等随掺杂量的变
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LaMnO<,3>是多种锰氧化物CMR材料的母系材料.它本身具有反铁磁绝缘的基态,但在La位不同离子(Ca<2+>、Ce<4+>)掺杂会在其半满的导带中掺入空穴或电子使得其电子输运、磁特性等随掺杂量的变化二产生多种变化,从而在温度—掺杂量的相图上出现多种不同特性的区域.0空位的掺杂和离子掺杂具有相同的效应,我们的工作主要集中在0空位和ce掺杂上,同时我们还探讨了La<,2>SrMn<,2>O<,7>层状结构的合成及在Mn位上的掺Cr效应.利用脉冲激光蒸镀方法制备了La<,0.6Ce<,0.4>MnO<,3>薄膜,这些薄膜显示与CMR材料相似的绝缘体—金属转变,但由于薄膜中有CeO<,2>杂相,所观察到的绝缘体—金属转变也可能与La位上的缺位有关.此外,研究了层状锰氧化物巨磁阻材料La<,2>SrMn<,2>O<,7>的合成及在Mn位上的Cr掺杂效应,发现Cr掺杂增强了样品的铁磁性,这可能是因为Cr<3+>和Mn<4+>具有相同的电子结构,因此在Cr<3+>-Mn<3+>间存在双交换作用.有关锰氧化物巨磁电阻材料的掺杂效应的研究有助于对该材料的深刻理解.
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