密实SnO₂电极陶瓷材料具有良好的导电性能和抗玻璃液侵蚀性能，是玻璃电熔技术的关键组成部分。论文以SnO₂、ZnO、CuO、Sb₂O₃粉体为原料，采用无压烧结技术制备出含ZnO、CuO及Sb₂O₃的SnO₂基电极陶瓷材料，并系统的研究了其相关性能。ZnO、CuO是良好的烧结助剂，少量ZnO、CuO的加入就能大幅度提高SnO₂基陶瓷块体的密度。SnO₂基陶瓷的密度随ZnO、CuO含量的增加均呈现先升高后降低的变化趋势。ZnO的最佳掺杂量是1.0mol％，其致密化原理是ZnO与SnO₂生成固溶体；CuO的最佳掺杂量是0.5—1.0mol％，CuO是由于在晶界间形成液相而使SnO₂致密化。Sb₂O₃对SnO₂基陶瓷的致密化没有帮助。ZnO及CuO的加入不能改善SnO₂基陶瓷的电学性能。Sb₂O₃在高温下氧化生成Sb₂O₅，Sb⁵⁺与SnO₂发生固溶反应时能形成额外电子而促使SnO₂基陶瓷电阻率的降低，少量Sb₂O₃的加入即能达到很好的效果。材料的力学强度与材料的致密度及晶粒大小有关。ZnO、CuO能使材料致密，Sb₂O₃能使晶粒细化。因此，复合掺杂的SnO₂基陶瓷具有较好的力学性能。采用玻璃液侵蚀静态测量方法测量SnO₂基电极陶瓷在1200℃的钠钙玻璃液的侵蚀速率。结果表明，玻璃溶液易进入SnO₂基电极陶瓷的晶间气孔并腐蚀较厚的晶界相层，很难渗入晶内气孔和腐蚀薄的晶界相层。至此，论文获得了综合性能俱佳的SnO₂基电极陶瓷材料，其各性能均达到甚至超过国内外现有的SnO₂电极产品。材料的组成配方及性能参数分别为：（1）98.5SnO₂-1ZnO-0.5Sb₂O₃，其相对密度为97％、室温电阻率为7.139×10^-2ohm·cm、抗弯强度为163.35 MPa、玻璃腐蚀速率3.633×10^-4mm／h；（2）SnO₂-0.75ZnO-0.25CuO-1.0Sb₂O₃，其相对密度为96.5％、室温电阻率为6.48×10^-3ohm·cm，抗弯强度为205.43MPa，玻璃腐蚀速率为4.367×10^-4mm／h。