碳化硅（Silicon Carbide,Si C）优异的物理化学性质使其可以在高温高压等极端环境下工作,被认为是最有前景的第三代半导体材料之一。但是Si C是间接带隙半导体,发光效率低,发光难度大,限制了其在光领域的应用。本文针对这一点,利用光子晶体结构和量子限域效应,设计了三层结构的二维光子晶体的Si C纳米薄膜,使用磁控溅射法制备了荧光Si C薄膜,增强了Si C的光致发光性能。（1）使用扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope,SEM）、透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope,TEM）、拉曼光谱、X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS）、光致发光光谱（Photoluminescence,PL）、紫外-可见光光谱（Ultraviolet-Visible,UV-Vis）技术表征样品的微观结构和光学特性。主要分析薄膜的微观结构、元素分布和含量、荧光与溅射时间和衬底温度的关系。（2）微观图像显示薄膜的结构整体上是均匀的蜂窝状六边形;Si C主要生长在阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide,AAO）的骨架上,呈岛状。拉曼特征峰表明薄膜中含有3C-Si C、4H-Si C、6H-Si C和石墨。拉曼光谱受荧光效应干扰发生上扬现象,推测是Si C沉积在AAO模板上引起的。TEM的元素扫描结果表明,在AAO结构底部有少量Si C,AAO模板内部具有较多的氧（Oxyen,O）空位,存在二氧化硅（Silicon Oxide,Si O2）的O缺陷可能引起缺陷发光,XPS分析结果支持上述结论;选区电子衍射（Selected Area Electron Diffraction,SAED）结果显示Si C是非晶态。（3）薄膜的PL光谱显示出530 nm附近的主峰和440 nm附近的次主峰。对照样品PL光谱表明AAO在约513 nm处产生较弱的荧光。与对照样品相比,经过溅射后大部分样品的PL被很大程度上增强。随着溅射时间增加,主峰发生红移,峰形展宽,有新的发光机制产生,即Si C荧光。样品的荧光特征表明溅射时间主要影响主峰红移量,衬底温度主要影响荧光强度。零下190℃的PL光谱的高斯分峰拟合结果表明Si C本征发光主要来源是3C-Si C,禁带宽度2.305 e V,声子能量0.075 e V。（4）样品的荧光来源主要有三个,第一是Si O2的O缺陷,峰位在440 nm,第二是AAO的O空位,峰位在513 nm,第三是Si C的本征发光,峰位在540nm。O空位发光和Si C本征发光叠加,当AAO的O空位减少时,峰位向540nm移动,出现红移现象,波形向长波长展宽。二维光子晶体的荧光Si C薄膜在白光LED和紫外光电探测器等光电领域中有潜在的应用前景。