射频高Q陶瓷是目前制造高频微波元件和高频多层陶瓷电容器的首选材料。面对频段紧缺、信息容量大的问题，相应的材料必须具备合适的介电常数、高频下较高的品质因数和趋近于零的τ值。MgTiO₃因其具有很高的Qf值（160000GHz）和丰富的原料而引起我们的关注。但是MgTiO₃也存在着介电常数较低（εr=17）和τ值呈较大的负值（τf=-55ppm/℃）的缺点，而且它的烧结温度高（1380℃），不仅达不到与Cu、Ni电极共烧的标准，对Ag/Pd电极要求也很高。针对这些情况，本文首先采用Zn在A位取代部分Mg，Sn置换B位的Ti，利用ZnO的助熔改善烧结，降低成瓷温度，借助SnO2抑制晶粒过分生长，共同作用下得到MZTS陶瓷。当x=0.05时，在1240℃烧结4h具有较好的微波介电性能：εr=16.34，Qf=103626GHz（6.967GHz），τf=-25ppm/℃。接着，确定ZnO的含量后，添加具有高ε（r181）和高τ（f991ppm/℃）的Ca0.8Sr0.2TiO₃来提高(Mg_0.95Zn_0.05)(Ti_0.95Sn_0.05)O₃的介电常数，并进一步调节τf值，使其趋近于零。随着Ca0.8Sr0.2TiO₃含量的增加，体系相结构发生变化，MgTi2O5出现在晶相中，但晶粒结合的更紧密，样品的εr逐渐增大，Qf值不断的减小，τf值先减小后增大。当x=0.04时，96MZCST在1230℃烧结4h具有最佳的微波介电性能：εr=19.62， Qf=52030GHz（6.62GHz），τf=-3.51ppm/℃。最后，本文尝试使用(La_0.44Sr_0.33)TiO₃来调节(Mg_0.95Zn_0.05)TiO₃陶瓷的τf值和介电常数，并研究其结构和性能，期望开发出一系列新的适用的复合材料。陶瓷主晶相为(Mg_0.95Zn_0.05)TiO₃和(La_0.44Sr_0.33)TiO₃，第二相(Mg_0.95Zn_0.05)Ti2O5的出现增加了材料的介电损耗，并且烧结温度升高时，它的含量增加。随着(La_0.44Sr_0.33)TiO₃掺入量的增加，样品的εr逐渐增大，Qf值不断减小，τf值先减小后增大。当x=0.10时，90MZLST陶瓷在1285℃烧结2h获得较好的微波介电性能：εr=22.17，Q=48471GHz （6.72GHz），τ=–7.99ppm/℃。