化学气相沉积法制备氟掺杂氧化锡薄膜及其性能研究

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透明导电氧化物(TCO)是一种独特的半导体材料,其不仅具有很好的导电性,而且具有良好的透光性,所以广泛应用在平板显示器、光伏设备、低辐射玻璃和电致变色玻璃等诸多领域。其中,以氟掺杂氧化锡薄膜(FTO)最为常见,因制备成本低、化学稳定性好、机械强度高等优点,已经实现工业化生产。在众多FTO薄膜的制备工艺中,常压化学气相淀积法是最常用的一种制备方法,主要是因为它的设备简单,成本低,容易实现大面积生产等优势。本文从制备FTO薄膜并优化其性能出发,使用常压化学气相沉积法,在玻璃基底上制备高性能的FTO薄膜。针对在太阳能电池中的应用,以四氯化锡为前驱体,改变不同实验条件制备出具有高导电性和高透光率且表面粗糙度高的薄膜。薄膜在300nm厚时粗糙度可以达到37nm,这种高粗糙度的结构有利于增强薄膜的陷光作用,从而可以提高太阳能电池的光电转换效率。并且利用不同含锡化合物作为前驱体时,不仅可以通过改变实验条件制备出性能优异的FTO薄膜,而且可以通过添加盐酸将制备的FTO薄膜的电阻率都降到10-4Ω·cm量级,与目前的最好电阻率接近。制备的高粗糙度,低电阻率FTO薄膜的工艺为以后的应用研究打下了良好的基础。
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