随着无线通信产业的发展,人们对无线通信产品在尺寸、速度、功耗、价格上提出了越来越高的要求。传统的微波射频集成电路都是建立在GaAs工艺上,不过成本的高居不下严重影响了市场的推广;近年来在市场的推动下,由于CMOS工艺的成本低、集成度高等优势,加之工艺和技术的不断进步,硅基射频集成电路的研究已成为产业界和学术界关注的热点。无源器件作为射频集成电路中不可缺少的部件,受到越来越多的关注。随着系统工作频率和系统性能要求的提高,对于无源器件的性能和模型精度的要求也越来越高。论文主要研究基于CMOS工艺的射频集成电路中无源器件的频变特性,包括片上互连线与片上变压器的建模与参数提取。首先从一般互连传输线结构入手,分析了片上互连线的串联阻抗与并联导纳,并且实验验证了片上互连线在超宽带范围内的等效电路模型,考虑传输线边缘临近效应对信号传输的影响,提出了新型互连线结构。此外还研究了片上非对称耦合传输线的电路模型,提出了相关改进算法并加以推广。对于片上变压器,应用部分单元等效电路法(PEEC),给出了片上电感频变串联电阻和电感的提取算法,并介绍了多层螺旋变压器模型参数提取的思路,对平面螺旋变压器的串联电阻和串联电感的频变特性进行了详细的分析,给出了频变互感的提取方法。实验测量结果验证了算法的有效性。