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碳化硅颗粒增强铝基复合材料（SiCp/Al）具有价格低廉、制备简单、高强度、高硬度和高热导率等优点广泛应用于航空航天和电子封装领域，但由于SiC颗粒的存在，使其内部组织结构极不均匀，故易在氯离子环境中形成腐蚀微电池而遭受点蚀等破坏。本论文采用无压渗透法制备SiCp/Al复合材料，并运用化学镀镍和微弧氧化两种方法对其表面改性，通过改变工艺参数制备了不同表面膜层的SiCp/Al复合材料，使用扫面电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）和扫面电化学显微镜（SECM）、PARSTAT2273电化学工作站等相关技术研究了SiCp/Al复合材料表面膜层形貌、结构、厚度和其在3.5 wt%NaCl溶液中的耐蚀性能。 研究表明，采用化学镀镍法，在SiCp/Al复合材料表面分别施镀10 min、30 min、60 min、90 min，得到5μm、8μm、15μm、20μm的Ni-P层，Ni颗粒更易在Al基体上沉积，施镀60 min时的镍层最为致密连续，90 min时表面Ni颗粒有脱落现象，镀镍时间越长，镍层与基体结合性降低；电化学测试结果表明，经化学镀镍后，SiCp/Al复合材料耐蚀性明显提高，施镀60 min后的复合材料自腐蚀电位和点蚀电位最高，其耐蚀性表现为最佳。60 min镀镍后的SiCp/Al复合材料经250℃、300℃和350℃热处理1 h，随着热处理温度的升高，镍层结构从非晶态向晶态转变，当热处理温度达到300℃以后，镍层已完全转为晶态，且有Ni3P相生成；电化学测试结果表明，SiCp/Al复合材料经250℃热处理后的点蚀电位最高、钝化区间最宽，交流阻抗值最大，耐蚀性更好。 采用微弧氧化法，将SiCp/Al复合材料放入10 g/L NaAlO2+1.1 g/L NaOH电解液体系中分别氧化5 min、10 min、20 min、30 min，得到6μm、10μm、15μm、21μm的氧化层，随着氧化时间的延长，表面熔融氧化物堆积越多，氧化30 min时，氧化层中γ-Al2O3相衍射峰特征最为明显；电化学测试结果表明，氧化30 min后SiCp/Al复合材料的自腐蚀电位和点蚀电位分别为-1.0687 V、-0.6275 V，为最高，此时其耐蚀性最佳。将SiCp/Al复合材料放入10 g/L Na2SiO3+1.1 g/L NaOH电解液体系中分别氧化5 min、10 min、20 min、30 min，得到7μm、10μm、22μm、55μm的氧化层，随微弧氧化时间的延长，氧化膜表面逐渐光滑致密，微孔逐渐趋于融合，块状SiC表面氧化膜逐渐均匀致密，Al4C3衍射峰逐渐减弱，氧化30 min时，SiO2衍射峰较为明显；电化学测试结果表明：氧化30 min后SiCp/Al复合材料的点蚀电位最大为-0.5758 V，浸泡稳定后其表面的电荷转移电阻R2值最大，浸泡9天后失重值最小为0.0336 g,故经30 min微弧氧化处理的SiCp/Al复合材料的耐蚀性最佳。在相同氧化时间下，在硅酸钠电解液体系下氧化的SiCp/Al耐蚀性高于铝酸钠电解液体系中氧化的SiCp/Al。 SiCp/Al经三种方法改性后，得到相同厚度的膜层时，经60 min镀镍的SiCp/Al复合材料在Cl-环境下的耐蚀性最好，在硅酸钠体系中经10 min微弧氧化的SiCp/Al复合材料耐蚀性次之，在铝酸钠体系中经20 min微弧氧化的SiCp/Al复合材料耐蚀性最差。