基于模型的光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction,简称OPC)已成为当今光刻工艺中不可或缺的技术。传统的基于模型的OPC方法包含的工艺信息局限于光学部分。随着器件尺寸不断缩小,新物理现象不断涌现,本文将这些物理因素整合入OPC实践。本文通过引入光刻胶斜坡宽度作为数据权重的指示标志,在一维图形和二维图形内部做了细分;根据实际物理现象,在传统OPC模型中加入多光刻胶有效扩散长度参数,提高了OPC工具模型的精确度,对于一维图形边界仿真误差为±2nm,二维图形边界仿真误差为±10nm。除此之外,我们提出了一种简便易行的基于光掩膜校准的OPC模型匹配方法,可以使不同制造厂商生产的光掩膜统一在一个OPC平台之下,达到工艺整合的目的。在此基础上,利用OPC工具模型的仿真效果,去模拟原始版图的硅片图像,然后比较模拟结果和原始版图,找出潜在的图形缺陷。对版图进行修正后,除了使用模拟工具观察改善效果,还从实际二次电子扫描电镜图片上得到了验证。实践证明,应用OPC工具可以大幅度提高排查潜在图形缺陷的效率,并能够做到事先预防,在版图检查阶段就能及早发现问题加以改善,降低了图形缺陷对生产线的危害。