利用CsClO₄改善OLED性能及OLED中电学掺杂剂扩散的研究有机发光器件（Organic Light-emitting Device, OLED）是利用某些有机材料的电致发光现象而制成的发光器件。典型的OLED器件结构包含阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。与传统的显示器件相比OLED具有很多优点，如全固态、主动发光、发光亮度高、重量轻、响应速度快以及可制备于柔性衬底等，它很有可能取代LCD成为下一代的主要显示技术。此外，白光OLED技术目前也发展迅猛，它可能取代白炽灯和荧光灯成为下一代的主要白光照明设备。但是OLED还存在着发光效率不够高及器件稳定性差等不足，引入电极缓冲层或电学掺杂层已被证明为有效提高OLED性能的手段之一。目前也有很多无机物已被应用于OLED电极处以改善载流子注入，但现有的这些无机化合物普遍具有较高的熔点，导致制作时温度较高，增加了设备成本。因此，寻找蒸发温度较低并且能有效改善OLED性能的电极缓冲层或电学掺杂层材料是有必要的。本论文采用CsClO₄作为一种新的电极缓冲层材料，制作了结构为ITO/NPB/Alq3/CsClO₄/Al的器件，与结构为ITO/NPB/Alq3/Al的器件相比，前者的亮度和效率都获得明显提升，这是因为CsClO₄缓冲层有效地改善了OLED阴极到有机层的电子注入。当CsClO₄缓冲层厚度为2.5nm时，器件在13V下获得的最大亮度为12840cd/m2；当CsClO₄缓冲层厚度为2nm时，器件在10V下下获得的最大电流效率为2.48cd/A，在6V下获得的最大功率效率为1.2lm/W。由于CsClO₄常温下可溶于水并且具有强氧化性，本论文利用恰当浓度的CsClO₄溶液超声处理ITO，用处理后的ITO制作的结构为ITO/NPB/Alq3/CsClO₄/Al的器件具有更高的亮度和效率,实现了使用同一种材料修饰OLED的阴极和阳极的目的。本论文探索了CsClO₄溶液处理ITO改善OLED性能的最佳溶液浓度和最佳处理时间，由器件的特性曲线可见，最佳溶液浓度为50mg/L，最佳处理时间为15min。在最佳处理条件下，器件的最大亮度达到19512cd/m2。初步推断这是由于CsClO₄溶液超声处理使ITO表面更加平整，也有可能增加了ITO的功函数。此外，本论文还制作了结构为ITO/NPB:MoO3/NPB/Al的器件，以研究Mo原子在NPB中的扩散现象，根据测量和分析得到了室温下Mo原子在NPB中的扩散深度，并研究了其扩散深度随温度的变化，发现了在一定温度范围内随着温度升高，Mo原子在NPB中扩散深度逐渐增加的情况。这一研究利用LCR表测量OLED在不同温度下的电容，并结合该OLED的等效电路模型计算了电学掺杂剂的扩散深度。这一方法可应用于研究其他不同的p型和n型掺杂剂在有机层中扩散，通过对比可得到对OLED发光效率和稳定性影响小的无机掺杂材料，并有助于寻找良好的阻挡层材料，更完善地发挥电学掺杂在OLED中的作用。这种新的方法操作简便，计算准确。