自从磁性多层膜和颗粒膜系统中发现巨磁电阻（GMR）效应以及在磁性隧道结中发现隧道磁电阻（TMR）效应以来,由于它们具有潜在的应用价值和丰富的物理内容,自旋极化的电子输运已经成为当前凝聚态领域中热门课题之一.该文就磁性多层膜系统中的巨磁阻效应和磁性隧道结中的隧道电阻效应作了一些研究.在第二章中,我们研究了磁性多层膜系统在任意磁构形下的平行（CIP）输运.从久保公式出发,采用了动量空间中的量子统计格林函数方法,考虑了界面粗糙度与量子尺寸效应,计算了CIPGMR.在第三章中,我们还是研究多层膜系统在任意磁构形下的平行输运,仍从久保公式出发,但是采用了实空间中的格林函数,并且考虑了自旋反转效应和自旋相关的势垒.在第四章中,我们研究了磁性多层膜系统在任意磁构形下的垂直（CPP）输运,从玻尔磁曼方程出发,考虑自旋反转效应.在第五章中,我们研究了铁磁/半导体/铁磁双层结的非平衡自旋积累效应,采用了散射方法,考虑了自旋极化和界面势垒.在第六章中,我们研究了在掺杂的隧道结中的自旋散射和杂质帮助散射对TMR的影响,采取了隧道哈密顿方法,考虑了库仑堵塞效应,分别讨论了掺Si和掺Ni的两种情形,得到的结果与实验相符合.在最后一章中,我们研究了磁性半导体（DSM）隧道结DSM/SM/DSM中的电子自旋极化输运,考虑了磁性半导体的基本物理图象,同样,采用了隧道哈密顿方法,我们发现理论结果很好地解释了实验.